X为了获得更好的用户体验,请使用火狐、谷歌、360浏览器极速模式或IE8及以上版本的浏览器
帮助中心 | 关于我们
欢迎来到辽阳市科技创新服务平台,请 登录 | 注册
尊敬的 , 欢迎光临!  [会员中心]  [退出登录]
当前位置: 首页 >  科技成果  > 详细页

[00922054]等离子体化学气相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构

交易价格: 面议

所属行业:

类型: 非专利

交易方式: 资料待完善

联系人:

所在地:

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
|
收藏
|

技术详细介绍

本发明公开了一种电子回旋共振等离子体化学气相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构,其方法是在淀积室中的多种衬底上用碳氢和碳氟源气体作为前驱气体淀积氟化非晶碳膜,利用电子回旋共振效应吸收微波能量分解前驱气体,并在衬底上形成介电常数低、热稳定性好的氟化非晶碳薄膜。具体过程为:衬底清洗并放入工艺室;对工艺室抽真空;通入混合气体;在衬底上淀积氟化非晶碳薄膜;净化工艺室。其中,在淀积氟化非晶碳膜前后,可在同一设备中选择淀积碳化硅膜粘附薄层和氮化硅膜覆盖薄层形成多层低介电常数介质结构。本发明具有热稳定性好、介电常数较低、淀积速率高的优点,可用于集成电路的互联或者某些光学器件的制造。200710018519.2
本发明公开了一种电子回旋共振等离子体化学气相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构,其方法是在淀积室中的多种衬底上用碳氢和碳氟源气体作为前驱气体淀积氟化非晶碳膜,利用电子回旋共振效应吸收微波能量分解前驱气体,并在衬底上形成介电常数低、热稳定性好的氟化非晶碳薄膜。具体过程为:衬底清洗并放入工艺室;对工艺室抽真空;通入混合气体;在衬底上淀积氟化非晶碳薄膜;净化工艺室。其中,在淀积氟化非晶碳膜前后,可在同一设备中选择淀积碳化硅膜粘附薄层和氮化硅膜覆盖薄层形成多层低介电常数介质结构。本发明具有热稳定性好、介电常数较低、淀积速率高的优点,可用于集成电路的互联或者某些光学器件的制造。200710018519.2

推荐服务:

主办单位:辽阳市科学技术局

技术支持单位:科易网

辽ICP备16017206号-1

辽公网安备 21100302203138号

关于我们

平台简介

联系我们

客服咨询

400-649-1633

工作日:08:30-21:00

节假日:08:30-12:00

13:30-17:30