[00944451]三相同壳结构GIS中的快速暂态过程行波分析
交易价格:
面议
所属行业:
类型:
非专利
交易方式:
资料待完善
联系人:
所在地:
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
数值计算模型和参数的确定,是三相同壳结构GIS快速暂态过程行波分析的基础。由于三相同壳结构GIS 的最大特点是A、B、C 三相之间存在电磁场耦合,模型的核心是电感矩阵和电容矩阵。分析表明,电感矩阵和电容矩阵中的所有元素,取决于GIS 内导体半径和三相导体的偏心距离与GIS 外壳内半径的相对比例。对于一般的三相同壳结构GIS,电感矩阵和电容矩阵的非对角线元素与对角线元素之比通常小于20%,对角线元素对快速暂态过程起主导作用;当忽略非对角线元素的作用时,可得到三相同壳结构GIS快速暂态过程的单相导体简化模型,以便对快速暂态过程进行定性的分析。但要对进行精确的定量分析,还必须采用三相精确模型。 GIS中VFT过电压的形成机制和抑制方法。VFT过电压幅值取决于隔离开关触头间的击穿电压、GIS的结构和电参数。我们采用探求“激发模式“的思想方法,研究VFT过电压的产生机制。通过分析,已发现了3种“激发模式“,即:高压套管电容效应、导体波阻抗跃变和相间击穿。最后,提出了一种新的VFT过电压抑制方法。即在GIS终端加上波阻抗较小的一段,可以有效地抑制VFT过电压。
数值计算模型和参数的确定,是三相同壳结构GIS快速暂态过程行波分析的基础。由于三相同壳结构GIS 的最大特点是A、B、C 三相之间存在电磁场耦合,模型的核心是电感矩阵和电容矩阵。分析表明,电感矩阵和电容矩阵中的所有元素,取决于GIS 内导体半径和三相导体的偏心距离与GIS 外壳内半径的相对比例。对于一般的三相同壳结构GIS,电感矩阵和电容矩阵的非对角线元素与对角线元素之比通常小于20%,对角线元素对快速暂态过程起主导作用;当忽略非对角线元素的作用时,可得到三相同壳结构GIS快速暂态过程的单相导体简化模型,以便对快速暂态过程进行定性的分析。但要对进行精确的定量分析,还必须采用三相精确模型。 GIS中VFT过电压的形成机制和抑制方法。VFT过电压幅值取决于隔离开关触头间的击穿电压、GIS的结构和电参数。我们采用探求“激发模式“的思想方法,研究VFT过电压的产生机制。通过分析,已发现了3种“激发模式“,即:高压套管电容效应、导体波阻抗跃变和相间击穿。最后,提出了一种新的VFT过电压抑制方法。即在GIS终端加上波阻抗较小的一段,可以有效地抑制VFT过电压。