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技术详细介绍
内容简介：该设备适于科研使用，根据用户需要可配备磁场，以改善和提高晶体质量。是用石墨电阻加热元件将硅等半导体材料熔化，以直拉法从熔体中拉制大直径单晶体的设备。该设备的主要性能指标如下：晶体直径：3″(φ75mm)；投料量：12kg；加热最大功率：60kW；籽晶在炉内行程：1250mm。使用范围及市场预测：用于拉制φ75mm硅单晶，适用于生产和科学研究。市场年需1-2台套。投产条件及效益分析：该设备系机电一体化，对电器采用计算机控制，要求具有机、电、光、仪多学科技术和设备。现售价45万元/台，有较好的经济效益。服务方式：生产定型产品。转让费：面议。