[00946731]薄膜型半导体磁敏传感器及其相关技术与产品
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技术详细介绍
该项目的磁阻元件可以制成二十多种磁敏传感器，用途广泛。本项目拥有多项专利，其产品覆盖多个行业，社会效益显著。项目在单晶硅片上用真空蒸镀技术形成锑化铟－铟共晶体薄膜，随之以光刻技术制成特定图形的磁阻元件，以取代以往单晶型锑化铟磁阻元件。该技术具有工艺流程短，成品率高和生产成本低等许多优点，该技术生产产品的灵敏度比传统的霍尔元件高出十多倍。该项目曾与某公司合作开发生产相关产品，获专利技术许可使用费100万元。