[00947938]YAG倍频激光退火MILC-TFT技术
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技术详细介绍
该项目在非晶硅经金属诱导横向晶化（MILC）形成多晶硅的基础上，采用适当功率的、三倍频的YAG激光，对MILC薄膜进行附加的后续退火处理。这种附加的激光再退火过程，是MILC与激光退火两方法的结合，与MILC比起来，在保持晶粒尺寸的情况下，降低了微缺陷，提高材料性能；利用后激光的加热作用，可使膜内残存的金属Ni转化成稳定的镍硅化物，故能够消除残存Ni金属的影响；与准分子激光器比起来，采用了低成本的、低功率的半导体激光器，使材料的性能得以提高。