微电子所在石墨烯晶体管物理模型及其电路应用研究方面取得进展
信息来源：中国科学院北京分院 发布日期：2015-12-16
近日，微电子所在石墨烯晶体管物理模型及其电路应用研究方面取得进展。
微电子器件与集成技术重点实验室在中国科学院、国家自然科学基金委和科技部的支持下，长期致力于分子电子学基本问题的研究，基于半经典的玻尔兹曼传输理论和热激发传输理论，在国际上首次提出了针对石墨烯晶体管的连续物理模型。该模型涵盖了长程和短程散射机制，可以准确描述器件的温度特性，并与实验数据保持较高的吻合度。该模型可通过VA编程嵌入商业化的CAD软件中，用于准确描述器件连续的交流和直流特性，使电路级预测和射频电路设计预测成为可能。相关研究被收录于IEDM., Washington, DC，December 7-9, 2015。
基于表面势适用于石墨烯晶体管的物理模型及其在电路中的应用
（微电子所供稿）