基于SiC衬底的AlGaN基多量子阱uv-LED器件及制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于SiC衬底的AlGaN基uv-LED器件及其制作方法,它涉及到微电子技术领域。该器件自下而上依次包括低温AlN成核层（2）、高温AlN成核层（3）、本征AlGaN外延层（4）、n-AlGaN势垒层…… 查看详细 >
技术简介： 本成果采用电感耦合等离子体化学气相薄膜沉积系统制备多晶硅薄膜太阳电池,采用的器件结构为“Glass/ITO/p-Si：H（150nm）/i-Si：H（1um）/n-Si：H（200nm）/ZnO：Al”（1cm×1cm）,在标准太阳光…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种凹槽绝缘栅型栅-漏复合场板功率器件及其制作方法,该器件自下而上包括衬底（1）、过渡层（2）、势垒层（3）、源极（4）、漏极（5）、绝缘介质层（7）、绝缘槽栅（8）、钝化层（9…… 查看详细 >
技术简介： 项目简介：纳米结构涂层钛阳极(简称纳米晶钛阳极)属特种功能材料产品。1996年福州大学与福建冶金工业所联合研制成功纳米级钛阳极材料，1999年获国家发明三等奖，并作为2001年申请成立福建省冶金…… 查看详细 >
技术简介： 1、课题来源与背景①课题来源：自选②背景：目前GaN基LED薄膜的外延生长通常都是采用金属有机物化学气相沉积技术（MOCVD）在异质衬底上进行。上述生长衬底通常吸光且导热性能较差,因此对LED芯片…… 查看详细 >
技术简介： 该项目为自选课题。目前人类照明正在进入第四个阶段—高能效LED照明时代。LED灯具有低热量、高效节能和波长（色彩）可调、光束集中等优势。传统的白炽灯和日光灯往往造成能源的浪费和照明成本很…… 查看详细 >
技术简介： 近几年,随着MEMS的发展和应用,工业领域对微型零件的需求越来越大。微型零件的结构尺寸微小,重量极轻,因此很难用普通加工方法对其加工成形。微细电火花加工是微细加工技术的一种,该技术可以加工…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种无膜的直接肼燃料电池及其制造方法,本发明的主要内容包括：（1）首先,用硼氢化钠还原剂将硝酸银和硝酸镍还原,制备多壁碳纳米管负载的AgNi纳米催化剂颗粒（AgNi/MWCNT）;（2）将…… 查看详细 >
技术简介： 在半导体异质结制备过程中,很难避免缺陷态的生成。为了提高异质结的性能,通常采用各种方法降低缺陷态的影响。但是在光致/电致发光谱中,缺陷态却具有重要的意义。如果可以通过调控制备条件,有效…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种绝缘栅型源-漏复合场板高电子迁移率晶体管及其制作方法,该器件自下而上包括衬底、过渡层、势垒层、源极、漏极、绝缘栅极、钝化层、源场板、漏场板和保护层,所述的源场板与源极…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于超级结的碳化硅MOSFET器件制作方法,包括如下步骤：（1）在N+碳化硅衬底的正面上外延生长厚度为10μm、氮离子掺杂浓度为5×1015~1×1016cm3的N外延层,其外延生长温度为1600℃,压力100mbar,…… 查看详细 >
技术简介： 该电机系列保护器分３种型号：ＷＤＢ－Ｉ型电机保护器由电流采样电路得到电机的工作电流，然后经过逻辑分析、电流比较电路，控制电子开关，实现对电机的过流和断相保护；ＷＤＢ－Ⅱ型和ＷＤＢ－…… 查看详细 >
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