技术简介： 本发明公开了一种AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制作方法,它涉及到微电子技术领域,主要解决器件工作频率低和抗辐照性能差的问题。该器件按生长顺序依次包括GaN缓冲层、本征GaN层、Al0.3Ga0.7N…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种双异质结光探测器的制备方法,包括：（a）对半绝缘半透明衬底进行清洗;（b）在所述衬底上生长底电极层;（c）在所述底电极层上生长第一MoS2层;（d）在所述第一MoS2层上生长杂化钙钛…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种垂直型肖特基二极管的器件结构及其制作方法,主要解决现有肖特基二极管器件反向击穿电压低的问题。其自下而上,包括阴极电极、高掺杂n型Ga2O3衬底、低掺杂n型Ga2O3外延层、低功函…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供一种适用于半导体集成电路的电流熔断多晶熔丝电路，主要解决现有多晶熔丝电路面积过大的问题。它包括：多晶熔丝、熔断控制电路和输出变换器，该多晶熔丝串联在外部半导体集成电路电源…… 查看详细 >
技术简介： 【摘要】本发明公开了一种将石墨烯薄膜转移到TEM铜网上的方法，其特征在于：先将TEM铜网吸附在静电吸附膜上，再在其上转移石墨烯薄膜。本发明通过将TEM铜网吸附在静电吸附膜上，宏观上间接扩大…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种利用质子辐照制备超快响应GaN光电导开关的方法,本发明利用质子束作为辐照源,采用两种不同能量和注量的质子束,先后辐照GaN光电导开关器件,以此获得超快响应特性。制作的GaN光电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种采用钙钛矿作为光吸收层的N型HEMT器件及其制备方法。该方法包括：选取衬底材料;采用第一掩膜版在所述衬底材料表面形成源漏电极;在所述衬底材料及所述源漏电极表面生长电子传输层;…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种用于制备钙钛矿太阳能电池的弱腐蚀碳浆,按照重量百分比计,弱腐蚀碳浆由2～20％的粘结剂、30～75％的有机溶剂、0～5％的辅助溶剂和20～40％的碳材料导电填料组成,粘结剂溶解在有…… 查看详细 >
一种CuNiMnFe/30CrMnSi复合材料转子衬套的制备方法
技术简介： 本发明公开的一种CuNiMnFe/30CrMnSi复合材料转子衬套的制备方法,将30CrMnSi转子衬套空壳放入石墨型芯中定位;将石墨型芯及30CrMnSi转子衬套空壳放入石墨坩埚内,并将CuNiMnFe合金放在30CrMnSi转子…… 查看详细 >
基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘层上晶圆级单轴应变Si的制作方法
技术简介： 本发明公开了一种基于氮化硅应力薄膜与尺度效应的SiN埋绝缘上层晶圆级单轴应变Si的制作方法,其实现步骤为：清洗SOI晶圆,并注入He离子;在离子注入后的SOI晶圆顶层上淀积1GPa以上的压应力SiN薄膜…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种全自动红枣去核装置,包括机架、固定在机架上的电机、被电机驱动的传动机构,以及用于加工红枣的加工机构;所述传动机构包括通过联轴器与电动机相连的减速箱、与减速箱通过弹性联…… 查看详细 >
基于实时监控开栅结构参数的阈值电压可控型GaN基增强型器件的制备方法
技术简介： 本发明公开了一种基于实时监控开栅结构参数的阈值电压可控型GaN基增强型器件的制备方法,主要解决现有技术不能精确控制阈值电压的问题。其制作过程包括：在衬底基片上,自下而上依次生长GaN缓冲层…… 查看详细 >
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