[00129057]一种在线测量MEMS薄膜应力梯度的方法
交易价格：
面议
所属行业：
微电子
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：200810195040.0
交易方式：
技术转让
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技术入股
技术转让
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联系人：
南京师范大学
进入空间
所在地：江苏南京市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
本发明公开了一种在线测量MEMS薄膜应力梯度的方法，其步骤为：在结构层薄膜上制作成一个中心固定的圆形薄膜。当圆膜被释放后，会在其内部的应力梯度作用下发生形变。用非接触相移型米劳干涉仪测量出圆膜边缘竖直方向的位移，进而算出圆膜的曲率半径。由薄膜的杨氏模量、泊松比和圆膜的曲率半径就可以求得薄膜的应力梯度。该测量方法的特征是：采用中心对称的中心固定圆膜作为测试结构，锚区近似理想固支，提高了模型的精度；用非接触的光学干涉方法测量，不会影响测试结构，重复性好。同时适用于导电材料和非导电材料应力梯度的测量。此外，该测量方法还具有操作简便，测量精度高，占用芯片面积小等优点。
本发明公开了一种在线测量MEMS薄膜应力梯度的方法，其步骤为：在结构层薄膜上制作成一个中心固定的圆形薄膜。当圆膜被释放后，会在其内部的应力梯度作用下发生形变。用非接触相移型米劳干涉仪测量出圆膜边缘竖直方向的位移，进而算出圆膜的曲率半径。由薄膜的杨氏模量、泊松比和圆膜的曲率半径就可以求得薄膜的应力梯度。该测量方法的特征是：采用中心对称的中心固定圆膜作为测试结构，锚区近似理想固支，提高了模型的精度；用非接触的光学干涉方法测量，不会影响测试结构，重复性好。同时适用于导电材料和非导电材料应力梯度的测量。此外，该测量方法还具有操作简便，测量精度高，占用芯片面积小等优点。
