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[00153475]基于 n-ZnO/n-GaN 异质 nN 结的紫外发光二极管

交易价格： 面议

所属行业： 其他电气自动化

类型： 发明专利

技术成熟度： 正在研发

专利所属地：中国

专利号：200910272929.9

交易方式： 技术转让

联系人：武汉大学苏州研究院

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所在地：江苏苏州市

服务承诺: 产权明晰; 资料保密
对所交付的所有资料进行保密; 如实描述

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技术详细介绍

　　本发明公开了一种基于n-氧化锌/n-氮化镓异质nN结的紫外发光二极管及其制备方法。该异质nN结的紫外发光二极管至少包括nN结和欧姆接触电极,其是在生长有n型氮化镓的蓝宝石衬底上生长n型氧化锌薄膜形成异质nN结,或在生长有n型氮化镓的蓝宝石衬底上先生长一中间层薄膜,再生长n型氧化锌薄膜形成异质nN结。本发明制备的n-ZnO/n-GaN异质nN结二极管具有较好的发光性能、以及较低的阈值电压,其阈值电压最低可达2.5V,所发光波长在370nm附近,线宽小于8.8nm,并且发光强度极高。

[00153475]基于 n-ZnO/n-GaN 异质 nN 结的紫外发光二极管

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