[01922459]高功率芯片热管理 Si3N4 陶瓷基板制备技术
联系人：于世远
所在地：浙江宁波市
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技术详细介绍
高功率半导体器件在5G通信、新能源车和航空航天等领域扮演着关键角色，其微型化与高度集成化趋势导致电子设备发热 量激增，热失效成为制约设备性能与寿命的首要挑战。因此，芯片的热管理至关重要，而Si3N4陶瓷基板作为解决芯片散热问题的核心部件，市场需求旺盛。全球陶瓷基板市场在2024年突破80亿美元，日本企业占据主导地位，其中东芝的 Si3N4陶瓷基板在热导率、电阻率、力学性能等关键指标上领先世界，但对中国实施严格限供。
为打破这一局面，实现国产替代，本成果采用低成本国产Si粉替代进口Si3N4粉，结合高效烧结助剂，立足流延成型的连续化制造技术，通过“低温氮化 - 气压烧结”法制备高热导率 Si3N4陶瓷基板，关键技术突破后形成了完全自主可控的产品研制和开发能力。该产品不仅导热、绝缘、力学性能指标超越日本东芝同类产品，还具备显著的低成本优势，展现出强大的市场竞争力和发展潜力。