[00229404]一种吸光层薄膜的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201210282691.X
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中国科学院长春应用化学研究所
进入空间
所在地：吉林长春市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提供一种吸光层薄膜的制备方法，包括以下步骤：将二硫化碳、第一胺类化合物、第一溶剂与前体物质混合，反应，得到第一前体溶液，所述前体物质包括铜源化合物，所述第一溶剂为水、甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、四氢呋喃、N，N二甲基甲酰胺、N，N二甲基乙酰胺、氯仿、甲苯、氯苯、丙酮、乙醚、乙酸乙酯或二甲基亚砜；将所述第一前体溶液在基底上成膜，将成膜后的基底加热，得到半导体薄膜；将所述半导体薄膜硒化或硫化，得到吸光层薄膜。本发明还提供了一种吸光层薄膜的制备方法及一种吸光层薄膜。本发明采用了温和无毒的溶剂制备前体溶液，从而使制备铜基太阳能薄膜电池的吸光层薄膜能够得到大规模的生产。
摘要：本发明提供一种吸光层薄膜的制备方法，包括以下步骤：将二硫化碳、第一胺类化合物、第一溶剂与前体物质混合，反应，得到第一前体溶液，所述前体物质包括铜源化合物，所述第一溶剂为水、甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、四氢呋喃、N，N二甲基甲酰胺、N，N二甲基乙酰胺、氯仿、甲苯、氯苯、丙酮、乙醚、乙酸乙酯或二甲基亚砜；将所述第一前体溶液在基底上成膜，将成膜后的基底加热，得到半导体薄膜；将所述半导体薄膜硒化或硫化，得到吸光层薄膜。本发明还提供了一种吸光层薄膜的制备方法及一种吸光层薄膜。本发明采用了温和无毒的溶剂制备前体溶液，从而使制备铜基太阳能薄膜电池的吸光层薄膜能够得到大规模的生产。
