[00229902]有机单晶薄膜晶体管及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201510149241.7
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种有机单晶薄膜晶体管，包括在基底上逐层形成的栅电极、绝缘层；间隔形成于绝缘层表面的源电极、漏电极；形成于绝缘层表面的修饰层及形成于修饰层表面且在源电极、漏电极之间的有源层，其中，有源层的材质为晶体取向一致的有机单晶薄膜。本发明还公开了其制备方法，包括步骤：A、在基底上逐层制备栅极、绝缘层，及间隔设置于绝缘层表面的源电极、漏电极；B、在绝缘层表面制备修饰层；C、利用溶液法在修饰层表面，形成一有机单晶薄膜作为有源层；其中，有源层为由取向一致的有机单晶组成的有机单晶薄膜。根据本发明的有机单晶薄膜晶体管不仅有利于载流子的传输、提高晶体管性能，还能够实现大面积的快速制备。
摘要：本发明公开了一种有机单晶薄膜晶体管，包括在基底上逐层形成的栅电极、绝缘层；间隔形成于绝缘层表面的源电极、漏电极；形成于绝缘层表面的修饰层及形成于修饰层表面且在源电极、漏电极之间的有源层，其中，有源层的材质为晶体取向一致的有机单晶薄膜。本发明还公开了其制备方法，包括步骤：A、在基底上逐层制备栅极、绝缘层，及间隔设置于绝缘层表面的源电极、漏电极；B、在绝缘层表面制备修饰层；C、利用溶液法在修饰层表面，形成一有机单晶薄膜作为有源层；其中，有源层为由取向一致的有机单晶组成的有机单晶薄膜。根据本发明的有机单晶薄膜晶体管不仅有利于载流子的传输、提高晶体管性能，还能够实现大面积的快速制备。
