[00229912]薄膜晶体管及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201410400438.9
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。该晶体管采用顶栅底接触式结构，包括有源层、源电极、漏电极、绝缘层和栅电极，其中绝缘层与有源层之间还设有界面修饰层；该晶体管的制备方法包括：在基底上设置有源层；在所述有源层表面设置源电极和漏电极；在所述有源层表面及源电极和漏电极上修饰界面修饰材料，形成界面修饰层；在所述界面修饰层上设置绝缘层；以及，在所述绝缘层上设置栅电极。本发明通过对薄膜晶体管中的有源层进行界面修饰，能够极大的降低晶体管的关态电流，并提高开关比，同时通过采用顶栅底接触式的结构，还使得晶体管的稳定性得到很大的提高。
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法。该晶体管采用顶栅底接触式结构，包括有源层、源电极、漏电极、绝缘层和栅电极，其中绝缘层与有源层之间还设有界面修饰层；该晶体管的制备方法包括：在基底上设置有源层；在所述有源层表面设置源电极和漏电极；在所述有源层表面及源电极和漏电极上修饰界面修饰材料，形成界面修饰层；在所述界面修饰层上设置绝缘层；以及，在所述绝缘层上设置栅电极。本发明通过对薄膜晶体管中的有源层进行界面修饰，能够极大的降低晶体管的关态电流，并提高开关比，同时通过采用顶栅底接触式的结构，还使得晶体管的稳定性得到很大的提高。
