[00229922]半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201610242865.8
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地：江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中，所述制备方法包括s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属；s12、在氮气气氛下退火，形成欧姆接触。或者，所述制备方法包括s21、对氮化镓材料氮极性面进行表面处理，采用感应离子耦合刻蚀氮极性面以去除表面损伤层，通过退火进行表面修复；s22、在氮化镓材料氮极性面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属，形成欧姆接触。本发明使用简单的工艺，就可以获得在半绝缘自支撑氮化镓衬底制备欧姆接触。同时避免台阶的刻蚀，光刻图形简单，使用的是常规的钛/铝/镍/金这四层金属，对于工艺的加工要求十分简单。
摘要：本发明公开了一种半绝缘自支撑氮化镓材料表面欧姆接触的制备方法。在一典型实施方案中，所述制备方法包括s11、在氮化镓材料镓面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属；s12、在氮气气氛下退火，形成欧姆接触。或者，所述制备方法包括s21、对氮化镓材料氮极性面进行表面处理，采用感应离子耦合刻蚀氮极性面以去除表面损伤层，通过退火进行表面修复；s22、在氮化镓材料氮极性面蒸镀Ti/Al/Ni/Au四层金属，形成欧姆接触。本发明使用简单的工艺，就可以获得在半绝缘自支撑氮化镓衬底制备欧姆接触。同时避免台阶的刻蚀，光刻图形简单，使用的是常规的钛/铝/镍/金这四层金属，对于工艺的加工要求十分简单。
