[00229924]场发射器件及其制作方法
交易价格:
面议
所属行业:
其他电气自动化
类型:
发明专利
技术成熟度:
正在研发
专利所属地:中国
专利号:CN201610288516.X
交易方式:
技术转让
技术转让
技术入股
联系人:
中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
进入空间
所在地:江苏苏州市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质,可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度,而且,由于所述集电极采用的是金属材质,在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜,简化了工艺、降低了成本、提高了性能。
摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质,可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度,而且,由于所述集电极采用的是金属材质,在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜,简化了工艺、降低了成本、提高了性能。