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[00229924]场发射器件及其制作方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610288516.X

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

进入空间

所在地:江苏苏州市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质,可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度,而且,由于所述集电极采用的是金属材质,在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜,简化了工艺、降低了成本、提高了性能。
摘要:本发明公开一种场发射器件,包括衬底、设置在所述衬底上的缓冲层、分别设置在所述缓冲层两端的发射极层和金属集电极层、分别设置在所述发射极层和所述金属集电极层上的电极层,其中,所述发射极层与所述金属集电极层之间具有沟道。本发明的场发射器件中的集电极采用金属材质,可以根据场发射器件的性能将发射极的尖凸部角度设计为任意角度,而且,由于所述集电极采用的是金属材质,在湿法腐蚀介质膜层形成纳米间距时不需要添加掩膜,简化了工艺、降低了成本、提高了性能。

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技术支持单位:科易网

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