[00232043]一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201210259551.0
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
中科院宁波先进制造所
进入空间
所在地：浙江宁波市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提供了一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器包括绝缘衬底，位于绝缘衬底上表面的第一电极，位于第一电极上表面的中间层，以及位于中间层上表面的第二电极；中间层的上表面具有一个底端为尖形的内凹结构，第二电极下表面、与该内凹结构相对应位置具有一个与该内凹结构相配套的底端为尖形的外凸结构。当第一电极和第二电极之间施加电压时，根据尖端放电效应，该外凸结构部分形成局域增强的电场，带电缺陷粒子聚集在该外凸结构部分，最终在该外凸结构附近形成导电通道。因此，本发明的存储器能够有效控制第一电极与第二电极之间形成的导电通道的位置，从而提高了器件的稳定性。
摘要：本发明提供了一种高稳定性的电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器包括绝缘衬底，位于绝缘衬底上表面的第一电极，位于第一电极上表面的中间层，以及位于中间层上表面的第二电极；中间层的上表面具有一个底端为尖形的内凹结构，第二电极下表面、与该内凹结构相对应位置具有一个与该内凹结构相配套的底端为尖形的外凸结构。当第一电极和第二电极之间施加电压时，根据尖端放电效应，该外凸结构部分形成局域增强的电场，带电缺陷粒子聚集在该外凸结构部分，最终在该外凸结构附近形成导电通道。因此，本发明的存储器能够有效控制第一电极与第二电极之间形成的导电通道的位置，从而提高了器件的稳定性。
