技术详细介绍
摘要：本实用新型公开了一种开合式三维沟槽电极硅探测器，在硅体上贯穿刻蚀后经过扩散掺杂形成开合式沟槽电极、中央电极，开合式沟槽电极环绕于中央电极之外，中央电极接负极，开合式沟槽电极接正极，开合式沟槽电极为存在开口、不连续的圆柱结构；探测器最底端设有二氧化硅保护层。本实用新型使死区面积最小，工作时粒子能够双面入射，反应更为灵敏；解决了现有技术中三维硅探测器只能单面刻蚀，粒子只能单面入射，且存在死区，影响探测器探测性能的问题。
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