技术详细介绍
摘要：本发明公开了一种碳化硅结势垒二极管，将沟槽结构引入4H‑SiC结势垒二极管中，有效的提高4H‑SiC场控二极管的耐压性，改善了高压4H‑SiC结势垒二极管的阻断性能；本发明二极管使用外延形成用于阳极接触的重掺杂接触区，通过刻蚀技术在重掺杂接触区与沟道扩展区制作沟槽的方法，以及离子注入后无碳膜保护的激活退火方法，均有效增加了p结区结深，并改善了欧姆接触阳极的接触特性，降低了器件工艺的复杂度，提高了器件的可行性。
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