[00277744]铜铟镓硒靶材连续溅射制备CIGS太阳电池吸收层的新工艺
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201110293017.7
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
南昌航空大学
进入空间
所在地：江西南昌市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明是新型低成本铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备新工艺。使用不同组成的CIGS靶材进行连续溅射制备出CIGS太阳电池吸收层，通过溅射(In,Ga)Se或(In,Ga)2Se3靶材和多元共蒸发In、Se金属，调整CIGS太阳电池吸收层的组成，得到p+-CuGaSe2和p-Cu(In,Ga)Se2薄膜。该工艺能明显地降低CIGS太阳电池制造成本，还能提高CIGS太阳电池光电转换效率和CIGS太阳电池的良品率。本工艺具有低成本、高稳定性，能够制造出较高光电转换效率CIGS太阳电池，具有比较好的开发价值。
摘要：本发明是新型低成本铜铟镓硒太阳电池吸收层的制备新工艺。使用不同组成的CIGS靶材进行连续溅射制备出CIGS太阳电池吸收层，通过溅射(In,Ga)Se或(In,Ga)2Se3靶材和多元共蒸发In、Se金属，调整CIGS太阳电池吸收层的组成，得到p+-CuGaSe2和p-Cu(In,Ga)Se2薄膜。该工艺能明显地降低CIGS太阳电池制造成本，还能提高CIGS太阳电池光电转换效率和CIGS太阳电池的良品率。本工艺具有低成本、高稳定性，能够制造出较高光电转换效率CIGS太阳电池，具有比较好的开发价值。
