[00298292]一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201310342034.4
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
华北电力大学
进入空间
所在地：北京北京市
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- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上，沉积多晶硅薄膜，采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底，制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底，将多晶体硅薄膜从衬底上分离，可重复利用优质衬底；大大降低了太阳电池制备成本，优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散，衬底与薄膜的不匹配，薄膜中高缺陷密度等缺点，可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力，多晶硅薄膜的质量也将提高。
摘要：本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上，沉积多晶硅薄膜，采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底，制备出多晶硅薄膜。陶瓷板经涂覆石墨薄膜后可重复沉积多晶硅薄膜。本发明方法选用高质量的陶瓷板作为衬底，将多晶体硅薄膜从衬底上分离，可重复利用优质衬底；大大降低了太阳电池制备成本，优化了生产工艺。同时克服了由于廉价衬底带来的杂质扩散，衬底与薄膜的不匹配，薄膜中高缺陷密度等缺点，可以减小沉积或结晶时多晶硅薄膜的应力，多晶硅薄膜的质量也将提高。
