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[00300841]一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法

交易价格: 面议

所属行业: 其他电气自动化

类型: 发明专利

技术成熟度: 正在研发

专利所属地:中国

专利号:CN201610369755.8

交易方式: 技术转让 技术转让 技术入股

联系人: 哈尔滨工业大学

进入空间

所在地:黑龙江哈尔滨市

服务承诺
产权明晰
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
如实描述
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技术详细介绍

摘要:一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法,本发明涉及大尺寸单晶薄膜的制备方法,特别是涉及一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术制备的钙钛矿薄膜的单晶尺寸小和结晶质量差导致其电学性能较低的问题。本发明利用有机前驱物和无机前驱物,加热蒸发进行气相反应,在衬底上制备出大尺寸单晶钙钛矿薄膜。该制备方法能稳定的获得大尺寸高结晶质量的单晶钙钛矿薄膜,同时可对薄膜的尺寸、厚度、成分等物性进行精确的调控;本发明所制备的大尺寸单晶钙钛矿薄膜可用于柔性太阳能电池、激光器件、LED器件等方面。
摘要:一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法,本发明涉及大尺寸单晶薄膜的制备方法,特别是涉及一种大尺寸单晶钙钛矿薄膜的制备方法。本发明的目的是为了解决现有技术制备的钙钛矿薄膜的单晶尺寸小和结晶质量差导致其电学性能较低的问题。本发明利用有机前驱物和无机前驱物,加热蒸发进行气相反应,在衬底上制备出大尺寸单晶钙钛矿薄膜。该制备方法能稳定的获得大尺寸高结晶质量的单晶钙钛矿薄膜,同时可对薄膜的尺寸、厚度、成分等物性进行精确的调控;本发明所制备的大尺寸单晶钙钛矿薄膜可用于柔性太阳能电池、激光器件、LED器件等方面。

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