[00301798]垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法
交易价格：
面议
所属行业：
其他电气自动化
类型：
发明专利
技术成熟度：
正在研发
专利所属地：中国
专利号：CN201210532877.6
交易方式：
技术转让
技术转让
技术入股
联系人：
哈尔滨工程大学
进入空间
所在地：黑龙江哈尔滨市
- 服务承诺
- 产权明晰
-
资料保密
对所交付的所有资料进行保密
- 如实描述
技术详细介绍
摘要：本发明提供的是一种垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层109上淀积多晶硅栅110。所述漏扩展区106、沟道区107、源区108和漏区111的掺杂类型与浓度相同，均为n+掺杂，掺杂浓度为1×1019～8×1019cm-3；所述多晶硅栅110为p+掺杂，掺杂浓度为5×1019cm-3。本发明提供一种有效抑制短沟道效应的作用的垂直无结环栅MOSFET结构，还提供一种可以简化工艺流程，灵活控制栅长和硅体区厚度的垂直无结环栅MOSFET的制造方法。
摘要：本发明提供的是一种垂直无结环栅MOSFET器件的结构及其制造方法。包括底层n型硅晶圆衬底101，漏区111位于器件的最低端；在衬底101上外延生长漏扩展区106，沟道区107，和源区108，栅氧化层109包围整个沟道区107，在栅氧化层109上淀积多晶硅栅110。所述漏扩展区106、沟道区107、源区108和漏区111的掺杂类型与浓度相同，均为n+掺杂，掺杂浓度为1×1019～8×1019cm-3；所述多晶硅栅110为p+掺杂，掺杂浓度为5×1019cm-3。本发明提供一种有效抑制短沟道效应的作用的垂直无结环栅MOSFET结构，还提供一种可以简化工艺流程，灵活控制栅长和硅体区厚度的垂直无结环栅MOSFET的制造方法。
