技术详细介绍
本发明公开了一种硅通孔结构及其制作方法，所述硅通孔结构，包括基底，其特征是，所述基底设有通孔，通孔贯穿基底的正面和背面，所述通孔与基底的接触面间设有绝缘层，通孔的两端设有凸起块；
所述硅通孔结构的制作方法，其特征是，包括如下步骤：1）制作第一盲孔；2）制作第一绝缘层；3）填充导电材料；4）制作第二盲孔；5）制作第二绝缘层；6）贯通两盲孔；7）形成硅通孔。
这种硅通孔结构能够使芯片三维叠层封装更加简单可靠。
这种方法降低了加工高深宽比或超高深宽比的硅通孔结构的难度，实现了高深宽比或超高深宽比的硅通孔结构的制作，工艺简单同时兼容了半导体的制作工艺。