技术简介： 摘要：本发明公开了属于多晶硅薄膜技术领域的一种利用可重复使用的衬底制备多晶硅薄膜的方法。在涂覆石墨薄膜的陶瓷板上，沉积多晶硅薄膜，采用退火方法分离多晶硅薄膜与衬底，制备出多晶硅薄膜…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明属于硅太阳能电池技术领域，特别涉及一种石墨衬底浓度渐变P型多晶硅薄膜的制备方法。制备过程为以抛光石墨片为衬底，在石墨衬底上先沉积一层非晶硅薄膜，并采用快速热处理方法扩散…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明提供一种新型压接式IGBT模块，包括管壳和同轴设于所述管壳上、下两端的板状金属电极，下端金属电极的内侧面上固定有凸台，所述凸台与上端金属电极之间压接有功率子模块；所述凸台以…… 查看详细 >
技术简介： 摘要：本发明所述的一种芴-三苯胺共轭聚合物电存储器件的制备方法：将ITO玻璃在水、无水乙醇、丙酮、无水乙醇、去离子水中超声清洗，保存在无水乙醇中备用；以权利要求1所述的芴-三苯胺共聚物为…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种双层结构的高效率黄绿光有机电致发光器件，包括顺序叠接的衬底、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层和反射金属阴极，通过阳极由正向负连接反射金属阴极构成外电…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高效稳定有机聚合物太阳能电池的制备方法，在透明导电电极上依次制备TiO2纳米粒子晶体层、电子传输层、有机活性层、空穴传输层和顶层电极，得到倒置太阳能电池结构，所述倒置太…… 查看详细 >
技术简介： 本发明提供了一种有机阻变存储器及其制备方法，包括由下至上叠接的衬底、下电极、阻变层、上电极，其特征是：存储结构为阵列式结构，阻变层的有机阻变转换材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）和聚醚…… 查看详细 >
一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
技术简介： 本发明公开了一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/TiO2/Si为衬底，采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺方法制备Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜，采用直流磁控溅射工艺方…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种高温压电性能、高储能密度无铅陶瓷介电材料，成分以通式(1‑x‑y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeNbO3+0.005(0.5MnO2‑0.3CuO‑0.2CeO2)或(1‑x‑y)BiFeO3–xBaTiO3–yMeTaO3+0.005(0.5Mn…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种柔性N型碲化银纳米线热电薄膜的制备方法，该方法包括以下步骤将碲化银纳米线与聚乙烯吡咯烷酮混合，超声分散在溶剂中得到碲化银纳米线分散液；在真空抽滤的条件下，将碲化银纳…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于硅通孔技术的晶圆级大功率LED封装结构及其封装方法，封装结构包括硅载体、LED芯片和散热基板，其特征在于：所述的硅载体设有导电通道和导热通道，导电通道与安置于硅载体上…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种LED产品及其制造方法，该产品为可见光LED或白光LED，它包括芯片、高导热的金属基座、连接支架、透光面罩，并且在所述的透光面罩的内面附着有荧光薄膜。所述荧光薄膜是通过溅射…… 查看详细 >
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