技术简介： BCD半导体器件及其制造方法属于半导体功率器件技术领域。器件包括高压nLIGBT、第一类高压nLDMOS,第二类高压nLDMOS,第三类高压nLDMOS和低压NMOS、PMOS、NPN。半导体器件直接做在单晶衬底上。高压…… 查看详细 >
技术简介： 电驱动钻机取代机械钻机已成为现实，电驱动钻机数量呈直线增长，电驱动钻机电控系统的检测与修理需求更加迫切，研制成功电驱动钻机电控系统开发测试装置属国内首创。1、AC组件测试台：AC组件测…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种提高半结晶聚合物绝缘介质真空沿面闪络电压的方法,先将半结晶聚合物介质制成类圆台形试样;再对加工好类圆台形试样放入烘箱中加热,使其达到接近熔融状态的温度,至少保温10分钟;…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种基于双park变换鉴相器的单相锁相环及其方法,该双park变换鉴相器包括第一park、第二park、第一低通滤波器LPF1和第二低通滤波LPF2,第一park和第二park的d轴同时与第一加法器M1输…… 查看详细 >
技术简介： 一种结型场效应晶体管的制作方法,属于半导体器件领域。传统结型场效应晶体管的制作工艺中,栅源隔离氧化层由于作为扩散工艺的掩蔽层,制作过程中会在隔离氧化层里面引入许多杂质以及缺陷,会降低结…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种碳化硅发热元件冷端部陶瓷材料的制造方法,特征是包括11个工艺步骤;碳化硅粉料、石油焦粉、石墨粉、活性炭粉、硅粉的将质量分数分别为0.30～0.90、0.05～0.50、0～0.20、0～0.10、…… 查看详细 >
偏移场板结构的4H-SiC PiN/肖特基二极管及其制作方法
技术简介： 本发明公开了一种偏移场板结构的4H-SiC？PiN/肖特基二极管。它包括N+？4H-SiC衬底和同型N-外延层;衬底背面设有N型欧姆接触;N-外延层上设有多个同心环形P+区域,这些同心环形P+区域分为外部同心圆…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种硅基纳米氧化锌粉体薄膜异质结太阳能的结构及其制备，将N型杂质掺混的纳米ZnO粉体浆料丝网印刷在具有银电极的透明电极上，烧结去除纳米ZnO薄膜表面的有机试剂，形成N型掺杂纳米…… 查看详细 >
技术简介： 本发明涉及一种新型光热电复合器件，属于太阳能利用领域。公开了一种全固态的光子增强热电子发射器件。该器件从上至下依次包括：透明导电氧化物层，用于减少载流子复合的背表面场钝化层，用于吸…… 查看详细 >
技术简介： OLED因其具有成本低、主动发光、全固态、低电压驱动、高效率、及可实现柔性显示等特点可以广泛应用于平板显示及固态照明领域。其中白光OLED应用于照明领域，是一种具有节能、环保、高品质及柔性…… 查看详细 >
技术简介： 一种基于N型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件…… 查看详细 >
技术简介： 本发明公开了一种无电极型平面介质阻挡放电荧光灯及其制作方法。该荧光灯在两片玻璃基板内侧面均配置了荧光粉层，后玻璃基板上配置了障壁和边框作为支撑体。将前后两基板对位、封接成一个整体，…… 查看详细 >
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